Das XCVU7P-2FLVA2104I-Gerät bietet höchste Leistung und integrierte Funktionalität auf 14-nm-/16-nm-FinFET-Knoten. Der 3D-IC der dritten Generation von AMD nutzt die Stacked-Silicium-Interconnect-Technologie (SSI), um die Beschränkungen des Mooreschen Gesetzes zu durchbrechen und die höchste Signalverarbeitung und serielle I/O-Bandbreite zu erreichen, um die strengsten Designanforderungen zu erfüllen. Es bietet außerdem eine virtuelle Single-Chip-Designumgebung, um registrierte Routing-Leitungen zwischen Chips bereitzustellen, um einen Betrieb über 600 MHz zu erreichen und reichhaltigere und flexiblere Takte bereitzustellen.
Das XCVU7P-2FLVA2104I-Gerät bietet höchste Leistung und integrierte Funktionalität auf 14-nm-/16-nm-FinFET-Knoten. Der 3D-IC der dritten Generation von AMD nutzt die Stacked-Silicium-Interconnect-Technologie (SSI), um die Beschränkungen des Mooreschen Gesetzes zu durchbrechen und die höchste Signalverarbeitung und serielle I/O-Bandbreite zu erreichen, um die strengsten Designanforderungen zu erfüllen. Es bietet außerdem eine virtuelle Single-Chip-Designumgebung, um registrierte Routing-Leitungen zwischen Chips bereitzustellen, um einen Betrieb über 600 MHz zu erreichen und reichhaltigere und flexiblere Takte bereitzustellen.
Anwendung:
Berechnungsbeschleunigung
5G-Basisband
Kabelgebundene Kommunikation
Radar
Testen und Messen
Produkteigenschaften
Gerät: XCVU7P-2FLVA2104I
Produkttyp: FPGA – Field Programmable Gate Array
Serie: XCVU7P
Anzahl der Logikkomponenten: 1724100 LE
Adaptives Logikmodul – ALM: 98520 ALM
Integrierter Speicher: 50,6 Mbit
Anzahl der Ein-/Ausgangsklemmen: 884 I/O
Versorgungsspannung – mindestens: 850 mV
Versorgungsspannung – maximal: 850 mV
Mindestarbeitstemperatur: -40 °C
Maximale Arbeitstemperatur:+100 °C
Datenrate: 32,75 Gbit/s
Anzahl der Transceiver: 80
Installationsart: SMD/SMT
Paket/Box: FBGA-2104
Verteilter RAM: 24,1 Mbit
Eingebetteter Block-RAM – EBR: 50,6 Mbit
Feuchtigkeitsempfindlichkeit: Ja
Anzahl der logischen Array-Blöcke – LAB: 98520 LAB
Betriebsspannung der Stromversorgung: 850 mV