XCVU7P-2FLVA2104I

XCVU7P-2FLVA2104I

Modell:XCVU7P-2FLVA2104I

Das XCVU7P-2FLVA2104I-Gerät bietet höchste Leistung und integrierte Funktionalität auf 14-nm-/16-nm-FinFET-Knoten. Der 3D-IC der dritten Generation von AMD nutzt die Stacked-Silicium-Interconnect-Technologie (SSI), um die Beschränkungen des Mooreschen Gesetzes zu durchbrechen und die höchste Signalverarbeitung und serielle I/O-Bandbreite zu erreichen, um die strengsten Designanforderungen zu erfüllen. Es bietet außerdem eine virtuelle Single-Chip-Designumgebung, um registrierte Routing-Leitungen zwischen Chips bereitzustellen, um einen Betrieb über 600 MHz zu erreichen und reichhaltigere und flexiblere Takte bereitzustellen.

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Produktbeschreibung

Das XCVU7P-2FLVA2104I-Gerät bietet höchste Leistung und integrierte Funktionalität auf 14-nm-/16-nm-FinFET-Knoten. Der 3D-IC der dritten Generation von AMD nutzt die Stacked-Silicium-Interconnect-Technologie (SSI), um die Beschränkungen des Mooreschen Gesetzes zu durchbrechen und die höchste Signalverarbeitung und serielle I/O-Bandbreite zu erreichen, um die strengsten Designanforderungen zu erfüllen. Es bietet außerdem eine virtuelle Single-Chip-Designumgebung, um registrierte Routing-Leitungen zwischen Chips bereitzustellen, um einen Betrieb über 600 MHz zu erreichen und reichhaltigere und flexiblere Takte bereitzustellen.





Anwendung:


Berechnungsbeschleunigung


5G-Basisband


Kabelgebundene Kommunikation


Radar


Testen und Messen




Produktattribute


Gerät: XCVU7P-2FLVA2104I


Produkttyp: FPGA – Field Programmable Gate Array


Serie: XCVU7P


Anzahl der Logikkomponenten: 1724100 LE


Adaptives Logikmodul – ALM: 98520 ALM


Integrierter Speicher: 50,6 Mbit


Anzahl der Ein-/Ausgangsklemmen: 884 E/A


Versorgungsspannung – mindestens: 850 mV


Versorgungsspannung – maximal: 850 mV


Mindestarbeitstemperatur: -40 °C


Maximale Arbeitstemperatur:+100 °C


Datenrate: 32,75 Gbit/s


Anzahl der Transceiver: 80


Installationsart: SMD/SMT


Paket/Box: FBGA-2104


Verteilter RAM: 24,1 Mbit


Eingebetteter Block-RAM – EBR: 50,6 Mbit


Feuchtigkeitsempfindlichkeit: Ja


Anzahl der logischen Array-Blöcke – LAB: 98520 LAB


Betriebsspannung der Stromversorgung: 850 mV





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