MT41K128M16JT-125AIT: K ist eine Art synchrones dynamisches Zufallszugriffsspeichermodul (SDRAM). Es ist hauptsächlich für die Verwendung in verschiedenen Hochleistungs-Computing-Anwendungen konzipiert und bietet eine Kapazität von 2 Gigabyte.
MT47H64M8SH-25E: H ist eine Art von SDRAM-Chip (Synchronous Dynamic Random-Access Memory), der von der Mikron-Technologie erzeugt wird. Es hat eine Kapazität von 512 Megabyte (MB) und eine maximale Taktreite von 200 Megahertz (MHz). Der Chip arbeitet bei einer Spannung von 2,5
MT41K256M16TW-107: P ist eine Art DRAM-Chip (Dynamic Random Access Memory). Es hat eine Kapazität von 4 Gigabyte (GB) und eine Geschwindigkeit von 1600 Megahertz (MHz)
MT41K256M16TW-107AAT: P ist ein Typ von DDR3-synchronem Dynamic Random-Access Memory (SDRAM) -Modul. Es wird üblicherweise in Computersystemen und anderen elektronischen Geräten für Hochgeschwindigkeitsdatenspeicher und -zugriff verwendet.
MT40A1G16TB-062E: F ist eine Art von Speichermodul, die allgemein als DDR4-SDRAM bekannt ist. Es wird von der Mikron -Technologie hergestellt und ist so konzipiert, dass sie in PCs, Workstations und Servern verwendet werden soll
MT53E512M32D1ZW-046WT:B ist höchstwahrscheinlich eine Art Speicherchip oder -modul. Ohne weiteren Kontext oder Informationen zum Produkt kann ich jedoch keine detaillierte englische Beschreibung des Produkts bereitstellen. Bitte geben Sie mehr Kontext oder Details zum Produkt an, damit ich Ihnen eine genauere Antwort geben kann.
