MT40A512M16TB-062E: r

MT40A512M16TB-062E: r

MT40A512M16TB-062E: R ist ein dynamischer Hochgeschwindigkeitsdynamik-Zufallszugriffsspeicher, der intern als 8 DRAM-Sätze in der X16-Konfiguration und 16 DRAM-Sätze in X4- und X8-Konfiguration konfiguriert ist. DDR4 SDRAM verwendet die 8N-Aktualisierungsarchitektur, um einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb zu erzielen. Die 8N -Prefetch -Architektur wird mit einer Schnittstelle kombiniert, mit der zwei Datenwörter pro Taktzyklus auf den E/A -Stiften übertragen werden.

Modell:MT40A512M16TB-062E:R

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Produktbeschreibung

MT40A512M16TB-062E: R ist ein dynamischer Hochgeschwindigkeitsdynamik-Zufallszugriffsspeicher, der intern als 8 DRAM-Sätze in der X16-Konfiguration und 16 DRAM-Sätze in X4- und X8-Konfiguration konfiguriert ist. DDR4 SDRAM verwendet die 8N-Aktualisierungsarchitektur, um einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb zu erzielen. Die 8N -Prefetch -Architektur wird mit einer Schnittstelle kombiniert, mit der zwei Datenwörter pro Taktzyklus auf den E/A -Stiften übertragen werden.

Produktattribute

Produkttyp: Dynamischer Zufallszugriffsspeicher

Typ: SDRAM - DDR4

Installationsstil: SMD/SMT

Paket/Box: FBGA-96

Datenbusbreite: 16 Bit

Organisation: 512 m x 16

Speicherkapazität: 8 Gbit

Zugangszeit: 160 ps

Stromversorgungsspannung - Maximum: 1,26 V

Stromversorgungsspannung - Minimum: 1,14 V

Mindestarbeitstemperatur: 0 c

Maximale Betriebstemperatur: +95 ° C


Anwendung

Cloud -Server und Rechenzentren

Automobil

Interaktive Gesundheitsberatung und personalisierte Gesundheitsüberwachung

Industrielles Internet der Dinge und Industrie 4.0

Gaming -PC

Rand- und Videoüberwachungsserver


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