MT40A512M16TB-062E:R

MT40A512M16TB-062E:R

MT40A512M16TB-062E:R ist ein dynamischer Hochgeschwindigkeits-Direktzugriffsspeicher, der intern als 8 DRAM-Sätze in x16-Konfiguration und 16 DRAM-Sätze in x4- und x8-Konfiguration konfiguriert ist. DDR4 SDRAM nutzt die 8n-Refresh-Architektur, um einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb zu erreichen. Die 8n-Prefetch-Architektur wird mit einer Schnittstelle kombiniert, die für die Übertragung von zwei Datenwörtern pro Taktzyklus auf den I/O-Pins ausgelegt ist.

Modell:MT40A512M16TB-062E:R

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Produktbeschreibung

MT40A512M16TB-062E:R ist ein dynamischer Hochgeschwindigkeits-Direktzugriffsspeicher, der intern als 8 DRAM-Sätze in x16-Konfiguration und 16 DRAM-Sätze in x4- und x8-Konfiguration konfiguriert ist. DDR4 SDRAM nutzt die 8n-Refresh-Architektur, um einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb zu erreichen. Die 8n-Prefetch-Architektur wird mit einer Schnittstelle kombiniert, die für die Übertragung von zwei Datenwörtern pro Taktzyklus auf den I/O-Pins ausgelegt ist.

Produktattribute

Produkttyp: Dynamischer Direktzugriffsspeicher

Typ: SDRAM - DDR4

Installationsart: SMD/SMT

Paket/Box: FBGA-96

Datenbusbreite: 16 Bit

Organisation: 512 M x 16

Speicherkapazität: 8 Gbit

Zugriffszeit: 160 ps

Versorgungsspannung - maximal: 1,26 V

Versorgungsspannung - Minimum: 1,14 V

Mindestarbeitstemperatur: 0 C

Maximale Betriebstemperatur:+95 °C


Anwendung

Cloud-Server und Rechenzentren

Automobil

Interaktive Gesundheitsberatung und personalisierte Gesundheitsüberwachung

Industrielles Internet der Dinge und Industrie 4.0

Gaming-PC

Edge- und Videoüberwachungsserver


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