MT53E1G32D2FW-046WT: B ist eine Art DDR4-SDRAM-Modul. Es hat eine Gesamtkapazität von 8 GB und verwendet einen 288-poligen Formfaktor. Dieses Modul arbeitet mit einer Geschwindigkeit von 2400 MHz und hat eine CAS -Latenz von 17 Taktzyklen
MT46H16M32LFB5-5IT: C ist ein Typ des SDRAM-Moduls (Synchronous Dynamic Random-Access Memory), das von der Mikron-Technologie hergestellt wird. Es hat eine Kapazität von 512 Megabyte und arbeitet mit einer Häufigkeit von 400 Megahertz.
MT41K128M16JT-125AAT: K ist eine Art DRAM-Modul (Dynamic Random-Access Memory) (DRAM), das üblicherweise in Computersystemen verwendet wird. Es hat eine Kapazität von 2 GB und eine Datenübertragungsrate von 1600 Megatransfers pro Sekunde (mt/s).
MT41K128M16JT-125AIT: K ist eine Art synchrones dynamisches Zufallszugriffsspeichermodul (SDRAM). Es ist hauptsächlich für die Verwendung in verschiedenen Hochleistungs-Computing-Anwendungen konzipiert und bietet eine Kapazität von 2 Gigabyte.
MT47H64M8SH-25E: H ist eine Art von SDRAM-Chip (Synchronous Dynamic Random-Access Memory), der von der Mikron-Technologie erzeugt wird. Es hat eine Kapazität von 512 Megabyte (MB) und eine maximale Taktreite von 200 Megahertz (MHz). Der Chip arbeitet bei einer Spannung von 2,5
MT41K256M16TW-107: P ist eine Art DRAM-Chip (Dynamic Random Access Memory). Es hat eine Kapazität von 4 Gigabyte (GB) und eine Geschwindigkeit von 1600 Megahertz (MHz)
