Was ist Halbleiter?

Alle Materialien mit den oben genannten beiden Eigenschaften können in den Bereich der Halbleitermaterialien eingeordnet werden. Was die intrinsischen Grundeigenschaften von Halbleitern widerspiegelt, sind die physikalischen Effekte und Phänomene, die durch verschiedene äußere Faktoren wie Licht, Wärme, Magnetismus, Elektrizität usw. verursacht werden, die auf Halbleiter einwirken und die zusammenfassend als Halbleitereigenschaften von Halbleitermaterialien bezeichnet werden können. Die meisten Grundmaterialien elektronischer Festkörpergeräte sind Halbleiter. Es sind die verschiedenen Halbleitereigenschaften dieser Halbleitermaterialien, die verschiedenen Arten von Halbleiterbauelementen unterschiedliche Funktionen und Eigenschaften verleihen. Das grundlegende chemische Merkmal von Halbleitern ist das Vorhandensein gesättigter kovalenter Bindungen zwischen Atomen. Als typisches kovalentes Bindungsmerkmal ist die Gitterstruktur tetraedrisch, sodass typische Halbleitermaterialien eine Diamant- oder Zinkblendestruktur (ZnS) aufweisen. Da es sich bei den meisten Bodenschätzen der Erde um Verbindungen handelt, handelte es sich bei den zunächst verwendeten Halbleitermaterialien um Verbindungen. Beispielsweise wurde Bleiglanz (PBS) vor langer Zeit für die Radiodetektion verwendet, Kupferoxid (Cu2O) wurde als Feststoffgleichrichter verwendet, Sphalerit (ZnS) ist ein bekanntes festes Lumineszenzmaterial und die Gleichrichtungs- und Detektionsfunktion von Siliziumkarbid ( SIC) wurde ebenfalls früh eingesetzt. Selen (SE) ist der erste entdeckte und genutzte Elementhalbleiter, der einst ein wichtiges Material für Festkörpergleichrichter und Fotozellen war. Die Entdeckung der Verstärkung durch Elementhalbleiter Germanium (GE) öffnete eine neue Seite in der Geschichte der Halbleiter, von der aus elektronische Geräte begannen, Transistorisierung zu realisieren. Die Forschung und Produktion von Halbleitern in China begann mit der ersten Herstellung von Germanium mit hoher Reinheit (99,999999 % – 99,999999 %) im Jahr 1957. Die Einführung von elementarem Halbleitersilizium (SI) erweitert nicht nur die Typen und Varianten von Transistoren und verbessert ihre Leistung , sondern läutet auch die Ära der großen und sehr großen integrierten Schaltkreise ein. Die Entdeckung von ⅲ-ⅴ-Verbindungen, repräsentiert durch Galliumarsenid (GaAs), hat die schnelle Entwicklung von Mikrowellengeräten und optoelektronischen Geräten vorangetrieben.